返回首页
当前位置: 主页 > 互联网技术 > 云计算 >

NAND FLASH 读写寻址方式概述

时间:2014-02-24 00:59来源:电脑教程学习网 www.etwiki.cn 编辑:admin

NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。
这些Line会再组成Page,通常是528Byte/page或者264Word/page。然后,每32个page形成一个Block,Sizeof(block)=16kByte.

Block是NAND Flash中最大的操作单元,擦除就是按照block为单位完成的,而编程/读取是按照page为单位完成的。
所以,按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址:
-Block Address
-Page Address
-Column Address
首先,必须清楚一点,对于NAND Flash来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度可以是8位或者16位,但是,对于x16的NAND Device,I/O[15:8]只用于传递数据。
清楚了这一点,我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。
以528Byte/page 总容量512Mbit+512kbyte的NAND器件为例:
因为,
1 block=16kbyte,
512Mbit=64Mbyte,
Numberof(block)=1024
1block=32page,
1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)

用户数据保存在main area中。
512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由所谓的pointer operation命令来选择,也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointer,A[7:0]就是所谓的column address。
32个page需要5bit来表示,占用A[13:9],即该page在块内的相对地址。Block的地址是由A14以上的bit来表示,例如512Mb 的NAND,共4096block,因此,需要12个bit来表示,即A[25:14],如果是1Gbit的528byte/page的NAND Flash,共8192个block,则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block
NAND Flash的地址表示为:
Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address
地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行。
例如,对于512Mbit x8的NAND flash,地址范围是0~0x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR为例:
第1步是传递column address,就是NAND_ADDR[7:0],不需移位即可传递到I/O[7:0]上而halfpage pointer即bit8是由操作指令决定的,即指令决定在哪个halfpage上进行读写,而真正的bit8的值是don't care的。
第2步就是将NAND_ADDR右移9位,将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上;
第3步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上;
第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上;
因此,整个地址传递过程需要4步才能完成,即4-step addressing。
如果NAND Flash的容量是256Mbit以下,那么,block adress最高位只到bit24,因此寻址只需要3步。

------分隔线----------------------------
标签(Tag):云计算
------分隔线----------------------------
推荐内容
猜你感兴趣